Nature Communications:用空氣中的快速一鍋法合成二維碳化鈦的鋰離子儲存性能


第一作者:Guoliang Ma,Hui Shao

通訊作者:劉穎,Patrice Simon,林紫鋒

通訊單位:四川大學,圖盧茲大學

背景

由MAX相前驅體衍生的MXenes在很多領域引起了科研人員極大的興趣,包括電化學儲能、電磁干擾屏蔽、超導體以及其他等等。自從20118首次報道合成Ti3C2Tx以來,MXenes通常是通過選擇性刻蝕MAX相前驅體來制備的。然而,這些方法很難升級和/或需要幾小時到幾天才能獲得MXenes,這極大地降低了生產效率并增加了生產成本。此外,大多數合成方法僅限于使用含Al的MAX相前驅體,而許多含有Si、Zn、Ga、Ge和S元素的MAX相仍然難以刻蝕。

研究的問題

本文報道了一種利用元素前驅體,通過形成鈦鋁碳化物,然后在一個熔鹽鍋中進行原位腐蝕來合成MXene的方法。熔鹽作為反應介質,在高溫合成過程中阻止了反應物的氧化,因此可以在空氣環境中合成MXenes,而不需要使用惰性氣體保護。使用這種一鍋法合成了Cl-端基的Ti3C2Tx和Ti2CTx?MXenes,在700°C下的原位刻蝕步驟只需要大約10分鐘。此外,當用作半電池結構的非水鋰離子存儲活性材料時,得到的Ti2CTxMxene在0.1A g?1和2 A g?1的比電流下分別表現出約280mAh g?1和160mAh g?1的鋰電容值。

圖1|空氣氣氛下一鍋法合成二維碳化鈦的步驟。以Ti、Al、C為原料,在露天條件下一鍋合成Ti3C2Tx?MXene的原理圖。RT代表室溫。樣品球團中Ti:Al:C:NaCl:KCl的摩爾比為3:1.2:1.9:3:3,鹽床由氯化鈉和氯化鉀的摩爾比為1:1組成,合成時間為460min。

圖2 Ti3C2Tx的結構表征.

圖a:一維和二維同步輻射X射線衍射(λ=0.072916 nm)圖譜和Rietveld精細化方法研究了Ti3C2Tx在700℃刻蝕10min后的形貌和形貌特征。2D圖案中的紅色箭頭指向樣品支撐結構的衍射峰。

圖b:Ti3C2Tx的掃描電鏡圖像,刻度條為2μm。

圖c:Ti3C2Tx的掃描電鏡圖像,刻度條為0.2μm。?

圖3|?700°C腐蝕10分鐘制備的Ti3C2Tx?MXene的原子結構分析。

圖a:高分辨率透射電子顯微鏡以100 nm的尺度成像,其中插圖顯示所選區域的快速傅立葉變換(FFT)圖案,標尺為1/10 nm。

圖b:高分辨率透射電子顯微鏡以10 nm的尺度成像。

圖c和d:原子分辨率高角度環形暗場(HAADF)圖像以及c[1120]和d[1100]投影和相應的晶體結構;插圖是原子位置的放大視圖。

圖e:沿[1100]的原子尺度EDS投影圖。

圖4|?Ti3C2Tx和T2CTx基電極的電化學儲能性能。

圖a:Ti3C2Tx和T2CTx Mxene在0.5 mV s-1的循環伏安曲線。

圖b:不同掃描速率下Ti3C2Tx和T2CTx?Mxenes的比容比較。

圖c:不同比電流下T2CTx?Mxenes電極的電壓分布

圖d:Ti2CTx?Mxene電極在不同電位下的電化學阻抗。

結語

綜上所述,本文提出了一種在空氣氣氛中由元素前驅體一鍋合成MXenes的簡便方法。由于不需要惰性氣體保護,大大簡化了合成操作,與傳統的分別制備MAX相前驅體和MXenes的MXene合成方法相比,一鍋法縮短了整個合成時間。Ti3C2Tx和T2CTx?Mxenes是在700°C快速腐蝕10分鐘,整個合成時間不到8h的條件下制備的。鋰離子儲存研究表明,一鍋法合成的Mxenes和之前報道的Lewis熔融酸蝕得到的Mxenes具有相似的電化學特征。得到的Ti2CTx?Mxene在0.1A g?1和2A g?1的比電流下分別具有約280mAh g?1和160mAh g?1的鋰電容值。本文相信,一鍋合成法為以較低的生產成本方便、快速地合成MXene材料鋪平了道路,并揭示了MXene材料在儲能領域的潛在應用前景。

文章鏈接:https://doi.org/10.1038/s41467-021-25306-y

本文由SSC供稿。

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