西南石油大學INORG CHEM FRONT:超長壽命和高倍率性能鈉離子電池研發


西南石油大學INORG CHEM FRONT:超長壽命和高倍率性能鈉離子電池研發

一、【導讀】

開發具有高比容量和長循環性能的新型負極材料可顯著提升鈉離子電池(SIBs)能量密度。在該領域,過渡金屬硫化物是典型的一類鈉離子電池負極材料。其中,釩基金屬硫化物,如VS2V2S3V3S4V5S8VS4等,因其具有多種釩價態,可提供多電子電化學反應,在鈉基存儲器件領域受到廣泛關注。

作為硫化釩家族的一員,VS4由一個V4+連接兩個S22?二聚體組成,沿C軸延伸形成鏈狀結構,鏈間距為5.83 ?。這種大的鏈間距為鈉離子的嵌入/脫出提供了更方便的通道。此外,V4+和S22?在VS4中都參與了氧化還原反應,因此具有較高的理論容量(1196mAh g-1)。然而,由于Na+嵌入到VS4中是連續且多步的相變反應,其中溶解的多硫化鈉(NaPSs)中間體的生成類似于鋰硫電池中多硫化鋰的穿梭效應。通常,通過在VS4結構中引入碳基材料可以抑制NaPSs的溶解穿梭問題。然而,碳納米材料的非極性和弱電催化特性不利于有效保持其長期的電化學穩定性。因此,開發具有高NaPSs吸附性能的極性基質,構建層次化的VS4納米結構,對于抑制VS4連續相變引起的粉化問題和解決NaPSs中間體的穿梭效應至關重要。

MXene是2011年發現的一種新的二維(2D)過渡金屬碳/碳化物。由于其優異的金屬導電性、親水性和低Na+擴散勢壘,它是一種很有前途的SIB陽極材料。釩基MXenes (V2CTx)是MXenes家族的另一成員,它具有零帶隙和非常高的電導率。此外,含有O-末端的MXenes可以與多硫化物結合,可以有效地穩定可溶性多硫化物,提高循環穩定性。

二、【成果掠影】

在此,西南石油大學新能源與材料學院王明珊副教授和李星教授團隊提出了在溶液中靜電自組裝含VO3?的V2CTx和釩前驅體,然后通過溶劑熱合成法原位構建錨定在V2CTx上的VS4納米片。VS4和V2CTx之間以S-V-C鍵相互作用橋接形成了強鉚釘結構,打開了電子傳遞的三維通道,協同促進了離子擴散和電荷傳遞。通過DFT計算進一步揭示了V2CTx與VS4之間形成了肖特基接觸異質結,促進了電化學反應過程中電子從VS4流向V2CTx,加快了VS4的電荷傳輸能力。此外,通過XPS證明了引入V2CTx可以調節VS4和V2CTx中釩的價態,通過GITT證實了VS4-V2CTx復合材料具有較高的鈉離子擴散系數和電化學反應動力學。當用作SIB負極時,VS4-V2CTx復合材料表現出優異的超長循環性能,在10 A g?1的大電流密度下,經過4000次循環后的比放電容量為322 mA h g?1。制備的全釩鈉離子電池 (Na3V2(PO4)3@C//VS4-V2CTx)在3 A g?1下具有234 mA h g?1的高可逆容量,具有優異的儲鈉性能,表明釩基儲鈉器件具有廣闊的應用前景。

相關研究成果以“Constructing a VS4–V2CTx heterojunction inter-face to realize an ultra-long lifetime and high rate capability in sodium-ion batteries?”為題發表在國際著名期刊INORGANIC CHEMISTRY

FRONTIERS上。

三、【核心創新點】

1、設計了一種雙釩基化合物(VS4-V2CTx)肖特基接觸異質結構復合材料。

2、通過調整VS4-V2CTx中的釩價,實現了更高的鈉離子擴散系數和更強的電化學反應動力學。

四、【數據概覽】

1 (a) VS4-V2CTx制備過程示意圖; (b)(c) VS4-V2CTx制備的SEM圖像(插圖為VS4的尺寸統計); (d - f) VS4-V2CTx制備的TEMHRTEM圖像(dVS4-V2CTx的選取電子衍射)(g) VS4-V2CTx制備的HAADF-STEM圖像和(h-j) VS4-V2CTx制備的TEM元素映射圖像; ? the Partner organizations 2023.

2 (a) V2CTxVS4VS4-V2CTxXRD譜圖; (b) V2CTxVS4VS4-V2CTx的拉曼光譜; (c) V2CTxVS4VS4-V2CTxTGA曲線(d) VS4VS4-V2CTxFT-IR光譜; (e) XPS全譜圖,(f) C1s VS4-V2CTxV2CTxXPS表征; (g) VS4VS4-V2CTxV2CTx中的V2p; (i) VS4VS4-V2CTx中的S2p; (h) VS4-V2CTxVS4V2CTxV2+V3+V4+的價態含量; ? the Partner organizations 2023.

3 (a) VS4-V2CTx電極在0.1 mV s?1掃描速率下的循環伏安曲線; (b) 0.1 A g?1電流密度下VS4-V2CTx電極的恒流充放電曲線; (c) 1 A g?1VS4VS4-V2CTx電極的長循環性能; (d) VS4(e) VS4-V2CTx電極在不同循環下的dQ/ dV-V曲線比較; (f) VS4-V2CTx在不同電流密度下的速率性能和10 A g?1下的長循環性能; (g) VS4-V2CTx和其他金屬硫化物負極在SIBs中的電化學比較; (h) VS4-V2CTx電極在不同電流密度下的恒流充放電曲線; ? the Partner organizations 2023.

4 (a) VS4-V2CTx0.1~1.0 mV s?1不同掃描速率下的CV曲線; (b) VS4-V2CTx電極陰極和陽極峰處log i(峰值電流)log ν(掃描速率)關系擬合曲線; (c) VS4-V2CTx電極在1.0 mV s?1時對CV曲線的電容貢獻; (d)不同掃描速率下VS4-V2CTx電極的電容貢獻; (e) VS4-V2CTxVS4電極的充放電過程的GITT曲線; (f) VS4-V2CTxVS4電極的放電/充電過程的鈉離子擴散系數; ? the Partner organizations 2023.

5 DFT計算; (a) V2CTxVS4計算式表面; (b) VS4-V2CTx的平面靜電勢及電荷密度差曲線,正值表示電荷積累,負值表示電荷耗散; (c) VS4-V2CTxVS4異質結構的TDOS; (d)內建電池形成示意圖; (e) VS4-V2CTx結構界面處的電荷差密度; (f) VS4-V2CTx異質結構電化學性能增強機理綜述; ? the Partner organizations 2023.

6 (a) VS4-V2CTx0.01~2.5 V電壓范圍內的放電和充電曲線以及第一次充放電時不同充放電電壓下的XRD圖譜; (b)全電池示意圖; (c)電流密度為0.1 A g?1時,0.5 ~ 3.8 V電壓范圍內的充放電曲線; (d) VS4-V2CTx//Na3V2(PO4)3@C全電池在0.2 A g?1電流密度下(3次為0.1 A g?1)的長周期性能; (e) VS4-V2CTx//Na3V2(PO4)3@C全電池的倍率性能; ? the Partner organizations 2023.

五、【成果啟示】

總之,該研究提出在溶液中加入少層V2CTx粉末和含有VO3?的前驅體,通過靜電自組裝和進一步的溶劑熱反應,在V2CTx表面原位生長VS4葉狀納米片的復合結構。這種葉狀的3D結構具有較大的孔隙結構,允許電極和電解質之間有充分的接觸。此外,在VS4和V2CTx之間形成具有肖特基接觸的異質結,并通過S-V-C鍵耦合。此外,V2CTx的引入調節了復合材料中釩的化學價態,XPS和GITT的結合證實了VS4-V2CTx復合材料中釩化學價態提升具有更高的鈉離子擴散系數和電化學反應動力學,這使得該材料具有出色的倍率性能和長循環性能,該研究有望為高性能鈉離子電池的構建提供新的思路。

原文詳情:Constructing a VS4–V2CTx heterojunction inter-face to realize an ultra-long lifetime and high rate capability in sodium-ion batteries?2023https://doi.org/10.1039/d3qi00712j

 

本文由LWB供稿。

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