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單層直接帶隙半導體過渡金屬二硫屬化物（TMD）MX2（M=Mo，W；X=S，Se）在電子學、光電子學以及能谷電子學等領域引起了廣泛關注。然而，典型的TMD場效應晶體管器件在沒有摻雜時主要表現為n型或p型，與完美晶體結構相矛盾，并且載流子遷移率遠低于理論值。此外，光致發光光譜不僅可以表征出強激子效應，其發光效率遠低于對直接帶隙半導體的預期，且可在光禁帶區域出現一個寬的缺陷活性峰。因此，結構缺陷對單層TMD的光電性能具有很大的影響。目前，大多數單層TMD為n型摻雜，但WSe2表現為p型摻雜。這種p型摻雜結合其他TMD材料可形成p-n結平面異質結構。由于價帶上較大的自旋軌道分裂和自旋-能谷的鎖定，p型摻雜的能谷相干時間可長至1-10 ns，而n型摻雜一般只有10 ps左右。此外，單層WSe2冷卻至~10K以下時，其缺陷中束縛激子的發光行為表現為單量子發光點（SQEs）,這可應用于量子信息處理。然而，當前對單層WSe2中缺陷的原子和電子結構的研究尚不清楚。

目前，電泵浦激子極化子的工作原理是采用多層發光二極管（LED），其電流和光反饋方向一致；或采用復合半導體制造技術獲得與電流流向正交的光學反饋。通過對比，發光場效應晶體管（LEFETs）通過相對簡單的技術可實現非常高的電流，且電流以面內的方式流動使得電流密度不受光學反饋結構的影響。理想的發射器材料可承受高電流密度且在這種條件下保持較高的振蕩強度。雖然可通過電荷累積和減少振蕩強度這兩種方式來調整極化子分支的位置，但在高電流密度下也可能最終會導致混合光物質發生損失。通過提高載流子的流動性以及采用具有可使極化子快速釋放的腔內嵌材料來避免上述問題。

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